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| Citazione | Data di pubblicazione | Autori | File |
|---|---|---|---|
| Study of W centers formation in silicon upon ion implantation and rapid thermal annealing / Andrini, G.; Zanelli, G.; Tchernij, S. Ditalia; Corte, E.; Hernandez, E. Nieto; Verna, A.; Cocuzza, M.; Bernardi, E.; Virzi, S.; Traina, P.; Degiovanni, I. P.; Olivero, P.; Genovese, M.; Forneris, J.. - (2023). [10.1109/sum57928.2023.10224442] | 2023 | Andrini, G.Zanelli, G.Corte, E.Verna, A.Cocuzza, M.Bernardi, E.Traina, P.Degiovanni, I. P.Olivero, P.Genovese, M.Forneris, J. + | - |
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