Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2
 Field Effect Transistors

Di Bartolomeo, Antonio; Grillo, Alessandro; Urban, Francesca; Iemmo, Laura; Giubileo, Filippo; Luongo, Giuseppe; Amato, Giampiero; Croin, Luca; Sun, Linfeng; Liang, Shi-Jun; Ang, Lay Kee

doi:10.1002/adfm.201800657

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Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors / Di Bartolomeo, Antonio; Grillo, Alessandro; Urban, Francesca; Iemmo, Laura; Giubileo, Filippo; Luongo, Giuseppe; Amato, Giampiero; Croin, Luca; Sun, Linfeng; Liang, Shi-Jun; Ang, Lay Kee. - In: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. - ISSN 1616-301X. - 28:28(2018), p. 1800657.

Titolo:	Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors
Autori:	Di Bartolomeo, Antonio Grillo, Alessandro Urban, Francesca Iemmo, Laura Giubileo, Filippo Luongo, Giuseppe AMATO, GIAMPIERO CROIN, LUCA Sun, Linfeng Liang, Shi-Jun Ang, Lay Kee mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2018
Rivista:	ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS
Handle:	http://hdl.handle.net/11696/59690
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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