Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2
 Field Effect Transistors

Di Bartolomeo, Antonio; Grillo, Alessandro; Urban, Francesca; Iemmo, Laura; Giubileo, Filippo; Luongo, Giuseppe; Amato, Giampiero; Croin, Luca; Sun, Linfeng; Liang, Shi-Jun; Ang, Lay Kee

doi:10.1002/adfm.201800657

CINECA IRIS Institutional Research Information System

IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.

Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors / Di Bartolomeo, Antonio; Grillo, Alessandro; Urban, Francesca; Iemmo, Laura; Giubileo, Filippo; Luongo, Giuseppe; Amato, Giampiero; Croin, Luca; Sun, Linfeng; Liang, Shi-Jun; Ang, Lay Kee. - In: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. - ISSN 1616-301X. - 28:28(2018), p. 1800657.

Titolo:	Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors
Autori:	Di Bartolomeo, Antonio Grillo, Alessandro Urban, Francesca Iemmo, Laura Giubileo, Filippo Luongo, Giuseppe AMATO, GIAMPIERO CROIN, LUCA Sun, Linfeng Liang, Shi-Jun Ang, Lay Kee mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2018
Rivista:	ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS
Handle:	http://hdl.handle.net/11696/59690
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11696/59690

Citazioni

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.