Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors / Di Bartolomeo, Antonio; Grillo, Alessandro; Urban, Francesca; Iemmo, Laura; Giubileo, Filippo; Luongo, Giuseppe; Amato, Giampiero; Croin, Luca; Sun, Linfeng; Liang, Shi-Jun; Ang, Lay Kee. - In: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. - ISSN 1616-301X. - 28:28(2018), p. 1800657. [10.1002/adfm.201800657]

Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors

Amato, Giampiero;Croin, Luca;
2018

File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
adfm.201800657.pdf

non disponibili

Tipologia: final published article (publisher’s version)
Licenza: Non Pubblico - Accesso privato/ristretto
Dimensione 3.83 MB
Formato Adobe PDF
3.83 MB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia
Asymmetric.pdf

accesso aperto

Tipologia: submitted version (author’s pre-print)
Licenza: Pubblico - Tutti i diritti riservati
Dimensione 1.57 MB
Formato Adobe PDF
1.57 MB Adobe PDF Visualizza/Apri

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11696/59690
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 174
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 164
social impact