Supersaturation state effect in diffusion induced Ge nanowires growth at
high temperatures

Rezvani, S. J.; Favre, L.; Celegato, Federica; Boarino, Luca; Berbezier, I.; Pinto, N.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.11.029

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We report on supersaturation state effect in diffusion-induced vapor-liquid-solid growth of Ge nanowires at high temperature. Our experimental investigation establishes that at T >= 550 degrees C the growth is hindered while the growth limitation is not resulted from a high value of the desorption rate. We demonstrate that the suppressed growth is a result of the droplets large chemical potential that inhibit the supersaturation state. This results either in a strong growth limitation due to a significant droplets enlargement or to a growth cessation. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

Titolo:	Supersaturation state effect in diffusion induced Ge nanowires growth at high temperatures
Autori:	Rezvani, S. J. Favre, L. CELEGATO, FEDERICA BOARINO, LUCA Berbezier, I. Pinto, N. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2016
Rivista:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Handle:	http://hdl.handle.net/11696/54794
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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