Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique / Amato, Giampiero; G, Dellamea; G, Fizzotti; F, Manfredotti; C, Marchisio; R, Paccagnella. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 43:(1991), pp. 6627-6632.

Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique

AMATO, GIAMPIERO;
1991

File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11696/31808
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 35
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 34
social impact