Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique

Amato, G; G, Dellamea; G, Fizzotti; F, Manfredotti; C, Marchisio; R, Paccagnella; A.,

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Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique / AMATO G; G; DELLAMEA; G; FIZZOTTI; F; MANFREDOTTI; C; MARCHISIO; R; PACCAGNELLA; A. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 43(1991), pp. 6627-6632.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11696/31808

Titolo:	Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique
Autori interni:	AMATO, GIAMPIERO
Data di pubblicazione:	1991
Rivista:	PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER
Handle:	http://hdl.handle.net/11696/31808
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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