Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique / AMATO G; G; DELLAMEA; G; FIZZOTTI; F; MANFREDOTTI; C; MARCHISIO; R; PACCAGNELLA; A. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 43(1991), pp. 6627-6632.
Titolo: | Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 1991 |
Rivista: | |
Citazione: | Hydrogen-Bonding in Amorphous-Silicon with Use of the Low-Pressure Chemical-Vapor-Deposition Technique / AMATO G; G; DELLAMEA; G; FIZZOTTI; F; MANFREDOTTI; C; MARCHISIO; R; PACCAGNELLA; A. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 43(1991), pp. 6627-6632. |
Handle: | http://hdl.handle.net/11696/31808 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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