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A chemical model is proposed to explain the passivation of carriers upon etching and their reactivation by the presence of gases in p+-type mesoporous silicon (m-PS). The model is based on the results obtained by means of FTIR, EPR, NMR spectroscopies and ab-initio calculations. This chemical description accounts for the behaviour of mPS when contacted with NO2 or NH3. B atoms in subsurface location play a promi- nent role.
Boron passivation and its reactivation in mesoporous silicon: a "chemical" model / Garrone, E; Geobaldo, F; Rivolo, P; Salvador, G. P.; Pallavidino, L; Boarino, Luca; Amato, Giampiero; Giamello, E; Chiesa, M; Gobetto, R; Ugliengo, P.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. - ISSN 1862-6300. - 202:(2005), pp. 1567-1570. [10.1002/pssa.200461184]
Boron passivation and its reactivation in mesoporous silicon: a "chemical" model
GARRONE E;GEOBALDO F;RIVOLO P;SALVADOR G. P;PALLAVIDINO L;BOARINO, LUCA;AMATO, GIAMPIERO;GIAMELLO E;CHIESA M;GOBETTO R;UGLIENGO P.
2005
Abstract
A chemical model is proposed to explain the passivation of carriers upon etching and their reactivation by the presence of gases in p+-type mesoporous silicon (m-PS). The model is based on the results obtained by means of FTIR, EPR, NMR spectroscopies and ab-initio calculations. This chemical description accounts for the behaviour of mPS when contacted with NO2 or NH3. B atoms in subsurface location play a promi- nent role.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11696/31609
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
