A nanostructured porous silicon near insulator becomes either a p- or an n-type semiconductor upon gas adsorption / Garrone, E; Geobaldo, F; Rivolo, P; Amato, Giampiero; Boarino, Luca; Chiesa, M; Giamello, E; Gobetto, R; Ugliengo, P; Viale, A.. - In: ADVANCED MATERIALS. - ISSN 0935-9648. - 17:(2005), pp. 528-531. [10.1002/adma.200401200]
A nanostructured porous silicon near insulator becomes either a p- or an n-type semiconductor upon gas adsorption
AMATO, GIAMPIERO;BOARINO, LUCA;
2005
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